在半导体封装、晶圆级键合及先进制程工艺中，封装材料的均匀性、低应力与超高洁净度是确保芯片可靠性及良率的核心。SIENOX（施诺斯）行星搅拌脱泡机通过无接触式公转自转混合技术与纳米级真空脱泡系统，为环氧模塑料（EMC）、芯片粘接胶（DAF）及光刻胶等高敏材料的制备提供零污染、高一致性的工艺保障，助力半导体制造突破微米级缺陷管控瓶颈。

SIENOX行星搅拌脱泡机：半导体封装材料高精度制备解决方案.jpg

挑战

SIENOX解决方案

价值提升

纳米填料团聚导致热应力

公转自转离心力场（转速0-2000rpm可调），实现二氧化硅/金刚石填料均匀分散（CV值＜3%），热导率波动≤±5%

芯片散热效率提升40%，封装翘曲率降低至0.1mm/m

微气泡引发分层失效

多级真空梯度脱泡，同步混合与脱泡，气泡尺寸控制＜5μm，残留量＜50ppm

界面结合强度达150MPa，封装良率＞99.9%

金属离子污染风险

非接触式设计，材料仅接触陶瓷/PTFE容器，通过质量管理体系洁净度认证，金属杂质＜0.1ppb

满足28nm以下先进制程材料纯度要求

高精度温控需求

温控系统，抑制树脂预固化，工艺窗口延长至8小时

固化收缩率＜0.02%，晶圆切割崩边率下降80%

半导体场景化应用案例

倒装芯片底部填充胶

SIENOX设备实现纳米二氧化硅浆料的无损分散，填料分布均匀性达99.2%，配合真空脱泡使胶体流动性提升30%，填充时间缩短至3秒，应用于5G毫米波芯片封装，空洞率＜0.001%。

晶圆级封装（WLP）光刻胶

针对厚膜光刻胶（SU-8系列），SIENOX定制低剪切力混合模式，在真空环境下消除微气泡，使胶膜厚度均匀性（3μm@100μm）达到±1.5%，应用于TSV硅通孔工艺，通孔良率提升至99.5%。

高导热界面材料（TIM）

通过SIENOX行星混合技术，氮化硼/银纳米线复合浆料的导热系数突破25W/m·K，且电阻率＜1×10⁻⁵Ω·cm，用于GPU芯片散热，结温降低18℃，性能稳定性提升45%。

SIENOX半导体方案核心优势

亚微米级缺陷控制：智能控制系统实时监测材料状态，自动纠偏混合参数；

超洁净工艺链：全封闭惰性气体保护模块，氧含量＜10ppm，适配BGA焊锡膏制备

全程可控：支持MES系统对接，实现配方管理-生产-质检数字化闭环。